Характеристика программных мероприятий и объекты внедрения

1   2   3   4   5

Итого за счет средств бюджета Союзного государства 1840000,0 тыс. росс. руб. (в ценах соответствующих лет), в том числе:

— финансирование за счет долевых отчислений Российской Федерации — 1196000,0 тыс. росс. руб.;

— финансирование за счет долевых отчислений Республики Беларусь — 644000,0 тыс. росс. руб.

Каждое из мероприятий включает в свой состав разработку прорывных стандартных технологий, специального технологического оборудования, не имеющих аналогов в государствах-участниках Союзного государства и соответствующих мировым образцам на момент их создания, и конкурентных изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, анализ которых приведен ниже.

Характеристика программных мероприятий и объекты внедрения.

Мероприятие 1: «Разработка стандартных технологий изготовления изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники и исследования в области технологии изготовления мощных фотодиодов СВЧ-диапазона»:

1.1. ОКР «Разработка стандартной технологии изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах».

Особенность ОКР заключается в том, что разрабатываемая стандартная технология содержит технологические блоки выращивания эпитаксиальных наноструктурированных пьезоструктур на основе нитрида алюминия AlN, а также технологические блоки для формирования многослойных наноструктурированных металлических и диэлектрических слоев, входящих в состав конструкции СВЧ пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (резонаторы, фильтры, дуплексоры и так далее) без выноса технологических отходов в атмосферу, в едином технологическом цикле.

1.2. ОКР «Разработка стандартной технологии изготовления энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения для систем непрерывной оптической накачки твердотельных лазеров и исследования в области технологии изготовления мощных фотодиодов СВЧ-диапазона».

Особенность ОКР заключается в том, что разрабатываемая стандартная технология содержит технологические блоки выращивания эпитаксиальных наноструктурированных гетероструктур, их утонения, формирования мезаполосковой структуры, разделения на чипы лазерных линеек и мощных фотодиодов СВЧ-диапазона и нанесения защитных покрытий на зеркала инжекционных лазеров, сборки лазерных диодов и линеек.

1.3. ОКР «Разработка стандартных технологий изготовления малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности для частотных диапазонов от 4 до 40 ГГц на основе наноструктурированных материалов A3B5».

В целом в данном мероприятии впервые в практике государств-участников Союзного государства предусмотрена разработка особого продукта — комплекса «Правила и средства проектирования» для изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники. Объектами внедрения, создаваемыми в рамках мероприятия 1, будут стандартные технологии, в том числе комплексы правил и средств проектирования, в которые входят библиотеки стандартных элементов для разработки и изготовления групп конструктивно и технологически подобных (унифицированных) изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники.

Мероприятие 2: «Разработка комплексных методик проектирования технологий и создания унифицированных изделий наноструктурной электроники, приборов и систем на их основе»:

2.1. НИР «Проведение исследований по применению современных принципов организации разработки и производства ЭКБ в части наноструктурных изделий СВЧ- и оптоэлектроники».

2.2. НИР «Исследования по созданию изделий СВЧ- и оптоэлектроники, включая отношения в режиме «фаундри» и разработка методик проектирования технологий».

2.3. ОКР «Разработка методик испытаний, в том числе сплошного контроля с отбраковкой изделий наноструктурной СВЧ-электроники на пластине, в том числе в заданном диапазоне температур».

2.4. ОКР «Разработка методик контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров, включая долговременные испытания».

Объектами внедрения, создаваемыми в рамках мероприятия 2, будут комплексные методики технологий создания изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, включая отношения в режиме «фаундри» и методики испытаний и контроля.

Мероприятие 3: «Разработка приборов и систем наноструктурированной СВЧ- и оптоэлектроники на основе стандартных технологий»:

3.1. ОКР «Разработка параметрического ряда конструктивно и технологически подобных пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах».

В результате выполнения ОКР будут разработаны и изготовлены параметрический ряд конструктивно и технологически подобных микроминиатюрных СВЧ тонкопленочных пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (резонаторы, фильтры, дуплексы)) нового поколения для навигации, радиолокации и мобильных систем связи, работающие в диапазоне частот 6 — 12 ГГц., а также оптоэлектронный генератор СВЧ. Указанные изделия будут разработаны и изготовлены по стандартной технологии, созданной в рамках мероприятия 1.1.

3.2. ОКР «Разработка параметрических рядов мощных фотодиодов СВЧ-диапазона и конструктивно и технологически подобных энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения, системы оптической диодной накачки для высокоэнергетичного полностью твердотельного лазера и полностью твердотельного лазера для промышленности, энергетики и специальных применений».

В результате выполнения ОКР будут разработаны и изготовлены опытные образцы мощных фотодиодов СВЧ-диапазона с предельной частотой 10, 20 и 40 ГГц, конструктивно и технологически подобные энергоэффективные инжекционные лазеры нового поколения для систем непрерывной оптической накачки твердотельных лазеров с длиной волны генерации 808 нм и максимальным КПД 60%, включая непрерывные лазерные диоды с выходной оптической мощностью 25 Вт и непрерывные лазерные линейки с выходной оптической мощностью 50 Вт, 75 Вт, 100 Вт, система квазинепрерывной оптической диодной накачки с выходной оптической мощностью 250 кВт и длиной волны генерации 808 нм для высокоэнергетичного полностью твердотельного лазера для промышленности, энергетики и специальных применений.

Твердотельный лазер с энергией в импульсе до 5 Дж обеспечит промышленность, энергетику и другие отрасли рядом устройств, систем и оборудованием, позволяющим решать задачи резки и сварки металлов, подавления оптоэлектронных приборов условного противника, изучения условий разогрева мишеней для возбуждения термоядерного синтеза, зондирования околоземного космического пространства и другие технологические задачи. Принципиальной особенностью ОКР является использование в качестве источников накачки твердотельных активных сред инжекционных лазерных излучателей нового поколения. Создание базовой конструкции высокоэнергетичного полностью твердотельного лазера с диодной накачкой с энергией до 5 Дж включает разработку и стандартизацию ключевых конструктивных и технологических решений, обеспечивающих возможность дальнейшего увеличения выходной энергии излучения.

Указанные изделия будут разработаны и изготовлены по стандартной технологии, созданной в рамках мероприятия 1.2.

3.3. ОКР «Разработка ряда конструктивно и технологически подобных малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности для частотных диапазонов от 4 до 40 ГГц».

В результате мероприятия 3.3 будут разработаны и изготовлены опытные образцы: субоктавных: малошумящих усилителей диапазонов 4 — 40 ГГц, линейных усилителей диапазонов 4 — 40 ГГц, усилителей мощности диапазонов 18 — 40 ГГц.

Указанные изделия будут разработаны и изготовлены по стандартным технологиям, созданным в рамках мероприятия 1.3.

Мероприятие 4: «Разработка типового оборудования технологических линий для производства изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники»:

4.1. ОКР «Разработка технологического оборудования стандартной технологии изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе акустических объемных волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах».

В состав разрабатываемого комплекта технологического оборудования с параметрами, соответствующими лучшим зарубежным образцам, входят:

— специализированная установка молекулярно-пучковой эпитаксии для выращивания эпитаксиальных слоев AlN,

— кластерная система осаждения наноструктурированных слоев металлов и диэлектриков для формирования электродов и акустических Брэгговских отражающих зеркал.

4.2. ОКР «Разработка технологического оборудования стандартной технологии изготовления инжекционных излучателей лазеров накачки».

Основной составляющей разрабатываемого комплекта технологического оборудования является установка осаждения защитных покрытий зеркал энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения.

4.3. ОКР «Разработка технологического оборудования процессов сухой химии создания топологических рисунков на пластине».

Основной составляющей разрабатываемого комплекта технологического оборудования является установка прецизионного неразрушающего травления наноструктурированных эпитаксиальных пластин в индуктивно связанной плазме.

Объектами внедрения, создаваемыми в рамках данного мероприятия, будет специализированное технологическое оборудование, обеспечивающее реализацию стандартных технологий при производстве изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники» с параметрами, соответствующими ведущим мировым производителям.

Мероприятие 5: «Разработка оборудования для внутритехнологического контроля и испытаний изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники»:

5.1. В состав комплексной ОКР «Разработка оборудования автоматического контроля внешнего вида кристаллов на пластине» входят:

5.1.1. ОКР «Разработка автомата контроля внешнего вида изделий наноструктурной электроники на пластинах».

5.1.2. ОКР «Разработка установки автоматического микроконтроля топологии кристаллов на пластине».

Особенностью автомата контроля внешнего вида изделий и установки автоматического микроконтроля топологии кристаллов является автоматическая идентификация дефектов, что соответствует требованиям ведущих мировых производителей.

5.2. ОКР «Разработка автоматизированного испытательного оборудования для контроля постояннотоковых и СВЧ параметров изделий на пластинах в диапазоне температур от — 65 °C до + 150 °C».

В состав разрабатываемого комплекта испытательного оборудования входят и будут созданы:

— зондовый автомат для контроля параметров изделий на пластинах в диапазоне температур от — 65 °C до + 150 °C,

— измерительное оборудование для контроля постояннотоковых и СВЧ параметров изделий наноструктурной электроники.

5.3. НИР «Исследование возможности создания установки контроля температурных полей СВЧ МИС методом лазерной рамановской спектроскопии».

В ходе выполнения НИР будут созданы экспериментальные образцы функциональных узлов для установки контроля температурных полей СВЧ МИС методом лазерной рамановской спектроскопии, исследована возможность и способы реализации установки контроля температурных полей СВЧ МИС методом лазерной рамановской спектроскопии с разрешением по координатам 1 мкм и по температуре 1 град.

5.4. ОКР «Разработка установки определения и анализа точечных дефектов на поверхности полупроводниковых пластин».

Объектами внедрения, создаваемыми в рамках данного мероприятия, будет установка определения и анализа точечных дефектов на поверхности полупроводниковых пластин, позволяющая определять и анализировать точечные дефекты с размерами от 0,25 до 20 мкм.

5.5. ОКР «Разработка оборудования для контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров, включая оборудование для долговременных испытаний».

В Российской Федерации и Республике Беларусь объектами внедрения, создаваемыми в рамках данного мероприятия, будет специализированное измерительное и испытательное оборудование для проведения внутритехнологического контроля и испытаний изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники с техническими характеристиками, превышающими мировые аналоги.

Распределение работ по территориям участников Программы.

При выполнении Программы российскими и белорусскими участниками будут разработаны и созданы:

а) российскими исполнителями в рамках мероприятий 1 — 5 Программы:

— стандартная технология изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах;

— стандартная технология изготовления энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения для систем непрерывной оптической накачки твердотельных лазеров;

— технология выращивания наногетероструктур для ряда мощных СВЧ-фотодиодов;

— технология создания мощных СВЧ-фотодиодов;

— стандартные технологии на основе наноструктурированных материалов A3B5, необходимые для проектирования и изготовления малошумящих и линейных усилителей в диапазоне частот от 4 до 18 ГГц;

— параметрический ряд пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах, и изготовлены опытные образцы;

— ряд конструктивно и технологически подобных малошумящих и линейных усилителей в диапазоне частот от 4 до 18 ГГц;

— параметрический ряд конструктивно подобных энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения;

— система оптической диодной накачки для высокоэнергетичного полностью твердотельного лазера,

— специализированная установка молекулярно-пучковой эпитаксии для выращивания эпитаксиальных слоев AlN приборов стабилизации и селекции частоты диапазона 6 — 12 ГГц;

— кластерная система осаждения наноструктурированных слоев металлов и диэлектриков для формирования Брэгговских зеркал приборов стабилизации и селекции частоты диапазона 6 — 12 ГГц;

— установка осаждения защитных покрытий зеркал энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения;

— установка прецизионного неразрушающего травления наноструктурированных эпитаксиальных пластин в индуктивно связанной плазме;

— методика испытаний, в том числе сплошного контроля с отбраковкой, изделий наноструктурной СВЧ-электроники на пластине, в том числе в заданном диапазоне температур;

— методика контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров, включая долговременные испытания;

б) белорусскими исполнителями в рамках мероприятий 1, 2, 3 и 5 Программ:

— стандартные технологии на основе наноструктурированных материалов A3B5, необходимые для проектирования и изготовления малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности в диапазоне частот от 18 до 40 ГГц;

— ряд конструктивно и технологически подобных малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности в диапазоне частот от 18 до 40 ГГц;

— расчет конструкций ряда мощных СВЧ-фотодиодов с предельной частотой 10 ГГц, 20 ГГц и 40 ГГц;

— оптоэлектронный генератор СВЧ с уровнем фазового шума — 130 дБн/Гц на частоте отстройки 10 кГц с селекцией частоты на основе пьезоэлектрических резонаторов;

— полностью твердотельные лазеры для промышленности, энергетики и специальных применений, в том числе с обращением волнового фронта и последующим преобразованием частоты излучения во вторую, третью, четвертую и пятую гармоники;

— автомат контроля внешнего вида изделий наноструктурной электроники на пластинах;

— установка автоматического микроконтроля топологии кристаллов на пластине;

— проведено исследование возможности создания установки и созданы функциональные узлы установки контроля температурных полей СВЧ МИС методом лазерной рамановской спектроскопии с разрешением по координатам 1 мкм и по температуре 1 град;

— установка определения и анализа точечных дефектов на поверхности полупроводниковых пластин.

Совместно российскими и белорусскими участниками в рамках мероприятий по п.п. 1.3, 2.2, 3.1, 3.2, 3.3, 5.2 и 5.5 Программы будут разработаны и созданы:

— методики проектирования технологий создания изделий СВЧ- и оптоэлектроники, включая отношения в режиме «фаундри». Созданные методики будут принадлежать государственным заказчикам со стороны Российской Федерации и Республики Беларусь в равной мере;

— автоматизированное испытательное оборудование для контроля постояннотоковых и СВЧ параметров изделий на пластинах в диапазоне температур от — 65 °C до + 150 °C;

— оборудование для контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров, включая оборудование для долговременных испытаний.

Без совместной интеграции при реализации организациями-участниками вышеуказанных видов стандартных технологий, типового специального технологического оборудования, методик проектирования технологий создания изделий и проведения их апробации на конкретных объектах наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, предусмотренных Программой Союзного государства, решение задачи повышения уровня качества, надежности и конкурентности изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники не может быть обеспечено.

При этом распределение работ по территориям государств-участников Союзного государства в обеспечение решения всех задач Программы и достижения ее целей проведено на основе принципа использования наиболее сильных сторон российских и белорусских участников. Так, например, Республика Беларусь традиционно сильна в части разработки и производства контрольно-испытательного оборудования. В то же время Российская Федерация обладает большим потенциалом в отношении разработки предусмотренных Программой технологий и технологического оборудования. Оба государства — участники Союзного государства традиционно сильны и продолжают развивать научно-технологический и производственный задел в части разработок изделий полупроводниковой техники. Развитие методик проектирования технологий создания изделий СВЧ- и оптоэлектроники, включая отношения в режиме «фаундри», базируется на общем опыте стандартизации и призвано создать условия для беспрепятственного взаимодействия разработчиков изделий и организаций изготовителей вне зависимости от их территориального расположения. Тем самым будут созданы технические и организационные условия интеграции организаций России и Беларуси на принципах единого технологического пространства. В дальнейшем после завершения Программы взаимное использование ее результатов будет осуществляться на основе общих правил взаимоотношений хозяйствующих субъектов с учетом порядка трансграничного перемещения товаров и услуг двойного применения.

 

  1. ФИНАНСОВОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОГРАММЫ

 

Финансовое обеспечение Программы будет осуществляться в соответствии с Порядком формирования и исполнения бюджета Союзного государства, утвержденным Декретом Высшего Государственного Совета Союзного государства от 3 марта 2015 г. N 3.

Запрашиваемые предельные объемы финансирования рассчитаны исходя из предлагаемого перечня мероприятий Программы, на основании существующих методик планирования затрат на разработку сложных радиоэлектронных изделий:

— для российских исполнителей — на основе методики, изложенной в приказе Минпромторга России от 11 сентября 2014 г. N 1788, с учетом порядка ценообразования на сложную научно-техническую продукцию и существующего уровня заработной платы в отрасли,

— для белорусских исполнителей — методики — Минэкономики Республики Беларусь от 22.04.1999 N 43, основных положений по составу затрат, включаемые в себестоимость продукции, Минэкономики Республики Беларусь от 26.01.1998 N 19-12/397, и Минфина Республики Беларуси от 30.01.1998 N 3.

Финансирование Программы осуществляется за счет средств бюджета Союзного государства и внебюджетных источников. Распределение бюджетного финансирования составляет от Российской Федерации 65%, от Республики Беларусь — 35%.

Общая потребность в финансовых ресурсах, необходимых на реализацию Программы, составляет в объеме 2780000,0 тыс. росс. руб., из них:

— за счет средств бюджета Союзного государства 66,2% — 1840000,0 тыс. росс. руб. (в ценах соответствующих лет), из них: за счет долевых отчислений в бюджет Союзного государства: Российской Федерации — 1196000,0 тыс. росс. руб., Республики Беларусь — 644000,0 тыс. росс. руб.

Внебюджетные источники составляют 33,8% — 940000,0 тыс. росс. руб., из них:

— в Российской Федерации — 611000,0 тыс. росс. руб.;

— в Республике Беларусь — 329000,0 тыс. росс. руб.

Средства бюджета Союзного государства и внебюджетные средства будут направлены непосредственно на НИОКР — проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ Программы.

Источниками внебюджетных средств будут собственные средства исполнителей Программы.

Внебюджетные средства будут направляться на разработку и изготовление оснастки, измерительных и испытательных стендов, нестандартного оборудования, изготовление и закупку нестандартных устройств, монтаж оборудования в рамках проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

Распределение необходимого объема финансирования на реализацию Программы в целом по годам за счет средств бюджета Союзного государства и внебюджетных источников по Программе представлены в Таблице 2.

Расходование финансовых средств по Программе предусматривает внесение всех обязательных платежей в государственные бюджеты России и Беларуси в определенных в установленные сроки и в размерах в соответствии с действующими налоговыми законодательствами государств-участников Союзного государства.

Капитальные вложения из средств бюджета Союзного государства и внебюджетных средств не предусматриваются.

Финансовые средства в объеме долевых отчислений Российской Федерации направляются только российским организациям, а финансовые средства в объеме долевых отчислений Республики Беларусь — только организациям Республики Беларусь.

Привлечение кредитных ресурсов для финансирования программы «Луч» не предусматривается.

Все финансовые ресурсы Российской Федерации и Республики Беларусь, выделяемые на реализацию Программы будут направлены в полном объеме на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в рамках мероприятий Программы.

Таблица 2

Объем и распределение финансовых ресурсов по Программе на 2016 — 2019 годы

(тыс. росс. рублей)

Финансирование Программы Всего 2016 г. 2017 г. 2018 г. 2019 г.
ВСЕГО 2780000,0 151000,0 725000,0 967000,0 937000,0
из них:
Средства бюджета Союзного государства, всего,

из них:

1840000,0 100000,0 480000,0 640000,0 620000,0
за счет долевых отчислений Российской Федерации 1196000,0 65000,0 312000,0 416000,0 403000,0
в т.ч.
НИОКР 1196000,0 65000,0 312000,0 416000,0 403000,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь 644000,0 35000,0 168000,0 224000,0 217000,0
в т.ч.
НИОКР 644000,0 35000,0 168000,0 224000,0 217000,0
Внебюджетные источники, всего

из них:

940000,0 51000,0 245000,0 327000,0 317000,0
Российская Федерация

(внебюджетные средства российских участников)

611000,0 33000,0 160000,0 212000,0 206000,0
Республика Беларусь

(внебюджетные средства белорусских участников)

329000,0 18000,0 85000,0 115000,0 111000,0

Объем и распределение необходимого объема финансирования НИОКР по мероприятиям Программы по годам за счет средств бюджета Союзного государства и внебюджетных источников для Российской Федерации и Республики Беларусь представлены в Таблице 2a. (Расчет произведен в ценах соответствующих лет.)

Таблица 2a

Объем и распределение финансовых ресурсов по мероприятиям Программы

(тыс. росс. рублей)

Финансирование Программы по мероприятиям Всего 2016 г. 2017 г. 2018 г. 2019 г.
Мероприятие 1 907000,0 53000,0 237000,0 314000,0 303000,0
из них:
Средства бюджета Союзного государства, всего,

из них:

600000,0 35000,0 157000,0 208000,0 200000,0
за счет долевых отчислений Российской Федерации 452000,0 28000,0 118000,0 156000,0 150000,0
в т.ч.
НИОКР 452000,0 28000,0 118000,0 156000,0 150000,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь 148000,0 7000,0 39000,0 52000,0 50000,0
в т.ч.
НИОКР 148000,0 7000,0 39000,0 52000,0 50000,0
Внебюджетные источники, всего

из них:

307000,0 18000,0 80000,0 106000,0 103000,0
Российская Федерация 230000,0 14000,0 60000,0 80000,0 76000,0
Республика Беларусь 77000,0 4000,0 20000,0 26000,0 27000,0
Мероприятие 2 127500,0 7000,0 31000,0 44500,0 45000,0
из них:
Средства бюджета Союзного государства, всего,

из них:

85000,0 5000,0 21000,0 29000,0 30000,0
за счет долевых отчислений Российской Федерации 68000,0 4000,0 16000,0 23000,0 25000,0
в т.ч.
НИОКР 68000,0 4000,0 16000,0 23000,0 25000,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь 17000,0 1000,0 5000,0 6000,0 5000,0
в т.ч.
НИОКР 17000,0 1000,0 5000,0 6000,0 5000,0
Внебюджетные источники, всего

из них:

42500,0 2000,0 10000,0 15500,0 15000,0
Российская Федерация 34500,0 2000,0 8000,0 11500,0 13000,0
Республика Беларусь 8000,0 2000,0 4000,0 2000,0
Мероприятие 3 732500,0 42500,0 194500,0 259000,0 236500,0
из них:
Средства бюджета Союзного государства, всего,

из них:

484000,0 28000,0 128500,0 172500,0 155000,0
за счет долевых отчислений Российской Федерации 306000,0 18000,0 82500,0 109500,0 96000,0
в т.ч.
НИОКР 306000,0 18000,0 82500,0 109500,0 96000,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь 178000,0 10000,0 46000,0 63000,0 59000,0
в т.ч.
НИОКР 178000,0 10000,0 46000,0 63000,0 59000,0
Внебюджетные источники, всего

из них:

248500,0 14500,0 66000,0 86500,0 81500,0
Российская Федерация 158500,0 9500,0 44000,0 55500,0 49500,0
Республика Беларусь 90000,0 5000,0 22000,0 31000,0 32000,0
Мероприятие 4 443500,0 19500,0 114000,0 151000,0 159000,0
из них:
Средства бюджета Союзного государства, всего,

из них:

294000,0 13000,0 76000,0 100000,0 105000,0
за счет долевых отчислений Российской Федерации 294000,0 13000,0 76000,0 100000,0 105000,0
в т.ч.
НИОКР 294000,0 13000,0 76000,0 100000,0 105000,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь
в т.ч.
НИОКР
Внебюджетные источники, всего

из них:

149500,0 6500,0 38000,0 51000,0 54000,0
Российская Федерация 149500,0 6500,0 38000,0 51000,0 54000,0
Республика Беларусь
Мероприятие 5 569500,0 29000,0 148500,0 198500,0 193500,0
из них:
Средства бюджета Союзного государства, всего,

из них:

377000,0 19000,0 97500,0 130500,0 130000,0
за счет долевых отчислений Российской Федерации 76000,0 2000,0 19500,0 27500,0 27000,0
в т.ч.
НИОКР 76000,0 2000,0 19500,0 27500,0 27000,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь 301000,0 17000,0 78000,0 103000,0 103000,0
в т.ч.
НИОКР 301000,0 17000,0 78000,0 103000,0 103000,0
Внебюджетные источники, всего

из них:

192500,0 10000,0 51000,0 68000,0 63500,0
Российская Федерация 38500,0 1000,0 10000,0 14000,0 13500,0
Республика Беларусь 154000,0 9000,0 41000,0 54000,0 50000,0
ИТОГО 2780000,0 151000,0 725000,0 967000,0 937000,0
из них:
Средства бюджета Союзного государства, всего,

из них:

1840000,0 100000,0 480000,0 640000,0 620000,0
за счет долевых отчислений Российской Федерации 1196000,0 65000,0 312000,0 416000,0 403000,0
в т.ч.
НИОКР 1196000,0 65000,0 312000,0 416000,0 403000,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь 644000,0 35000,0 168000,0 224000,0 217000,0
в т.ч.
НИОКР 644000,0 35000,0 168000,0 224000,0 217000,0
Внебюджетные источники, всего

из них:

940000,0 51000,0 245000,0 327000,0 317000,0
Российская Федерация 611000,0 33000,0 160000,0 212000,0 206000,0
Республика Беларусь 329000,0 18000,0 85000,0 115000,0 111000,0

1   2   3   4   5

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован.

*

code