3. СИСТЕМА МЕРОПРИЯТИЙ ПРОГРАММЫ

1   2   3   4   5

Программа направлена на решение ряда сложных научно-технических и организационных проблем и носит комплексный характер. Для обеспечения достижения сформулированной цели и оптимального решения всех поставленных задач применен программно-целевой подход, обеспечивающий системное решение задач в рамках единой научно-технической программы развития научно-технологического потенциала государств — участников Союзного государства для производства современной инновационной конкурентоспособной радиоэлектронной продукции и дальнейшего развития кооперационных связей России и Беларуси.

Решить указанные задачи предполагается путем реализации ряда связанных между собой мероприятий, схема которых приведена на Рисунке 1.

Каждое из мероприятий направлено на решение соответствующей сформулированной задачи, включает научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР) и состоит из конечного ряда НИР и ОКР, к которым относятся:

  1. Разработка стандартных технологий изготовления изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники и исследования в области технологии изготовления мощных фотодиодов СВЧ-диапазона.
  2. Разработка комплексных методик проектирования технологий и создания унифицированных изделий наноструктурной электроники, приборов и систем на их основе.
  3. Разработка приборов и систем наноструктурированной СВЧ- и оптоэлектроники на основе стандартных технологий.
  4. Разработка типового оборудования технологических линий для производства изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники.
  5. Разработка оборудования для внутритехнологического контроля и испытаний изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники.

Приведенный ранее обзор научного, технического и методического задела российских и белорусских организаций показывает, что имеется базовая основа для обеспечения успешного выполнения поставленных в Программе задач в указанные минимальные сроки и при относительно низких затратах.

Планируемые работы Программы не дублируют разработки, выполняемые различными организациями государств-участников Союзного государства в рамках национальных научно-технических программ.

Мероприятия Программы также не дублируют мероприятия отраслевого плана мероприятий по импортозамещению в радиоэлектронной промышленности Российской Федерации, утвержденного приказом Минпромторга России от 31 марта 2015 г. N 662.

Анализ состояния технологических направлений Программы показывает, что выполнение Программы достижимо только в рамках совместных работ российских и белорусских организаций, дополняющих друг друга, с учетом специализации и опыта каждой из сторон.

200

Рисунок 1. Схема взаимодействия мероприятий Программы

Перечень мероприятий, направленных на решение поставленных задач и достижение целей Программы, их содержание, сроки выполнения и ожидаемые результаты работ, а также потребность в бюджетном финансировании работ сведены в Таблицу 1.

Таблица 1

Перечень мероприятий, содержание работ, результаты, сроки их выполнения по предполагаемой программе

Наименование мероприятий, содержание работ Сроки выполнения, годы Объем финансирования, тыс. руб.

Всего:

в том числе

из бюджета Союзного государства

Всего

Россия

Беларусь

из внебюджетных источников

Всего

Россия

Беларусь

Ожидаемые результаты
Всего 2016 г. 2017 г. 2018 г. 2019 г.
Мероприятие 1: «Разработка стандартных технологий изготовления изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники и исследования в области технологии изготовления мощных фотодиодов СВЧ-диапазона»
1.1. ОКР «Разработка стандартной технологии изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах». 2016 — 2019 236500,0 12000,0 57000,0 80500,0 87000,0 Комплект технологической документации с литерой «O1» на технологические процессы изготовления приборов стабилизации и селекции частоты диапазона 6 — 12 ГГц, включая изготовление пластин с многослойными тонкопленочными структурами.

Стандартная технология изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах.

157000,0

157000,0

0,0

8000,0

8000,0

0,0

38000,0

38000,0

0,0

53000,0

53000,0

0,0

58000,0

58000,0

0,0

79500,0

79500,0

0,0

4000,0

4000,0

0,0

19000,0

19000,0

0,0

27500,0

27500,0

0,0

29000,0

29000,0

0,0

1.2. ОКР «Разработка стандартной технологии изготовления энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения для систем непрерывной оптической накачки твердотельных лазеров и исследования в области технологии изготовления мощных фотодиодов СВЧ-диапазона». 2016 — 2019 219000,0 16500,0 62500,0 77000,0 63000,0 Комплект технологической документации с литерой «O1» на технологические процессы изготовления энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения, включая выращивание эпитаксиальных наноструктурированных гетероструктур, планарные и сборочные операции. Стандартная технология изготовления энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения для систем непрерывной оптической накачки твердотельных лазеров с длиной волны генерации 808 нм и максимальным КПД 60%.
145000,0

145000,0

0,0

11000,0

11000,0

0,0

41000,0

41000,0

0,0

51000,0

51000,0

0,0

42000,0

42000,0

0,0

74000,0

74000,0

0,0

5500,0

5500,0

0,0

21500,0

21500,0

0,0

26000,0

26000,0

0,0

21000,0

21000,0

0,0

1.3. ОКР «Разработка стандартных технологий изготовления малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности для частотных диапазонов от 4 до 40 ГГц на основе наноструктурированных материалов A3B5». 2016 — 2019 451500,0 24500,0 117500,0 156500,0 153000,0 Комплекты технологической документации с литерой «O1«. Стандартные технологии, включающие библиотеки стандартных активных и пассивных элементов, содержащие транзисторы для малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности с длиной затвора не более 0,2 мкм, катушек индуктивностей, конденсаторов, резисторов, микрополосковых линий передач, необходимых для изготовления малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности для частотных диапазонов от 4 до 40 ГГц.
298000,0

150000,0

148000,0

16000,0

9000,0

7000,0

78000,0

39000,0

39000,0

104000,0

52000,0

52000,0

100000,0

50000,0

50000,0

153500,0

76500,0

77000,0

8500,0

4500,0

4000,0

39500,0

19500,0

20000,0

52500,0

26500,0

26000,0

53000,0

26000,0

27000,0

Мероприятие 2: «Разработка комплексных методик проектирования технологий и создания унифицированных изделий наноструктурной электроники, приборов и систем на их основе»
2.1. НИР «Проведение исследований по применению современных принципов организации разработки и производства ЭКБ в части наноструктурных изделий СВЧ- и оптоэлектроники». 2016 — 2019 25500,0 1500,0 6000,0 9000,0 9000,0 Схема взаимоувязывания технологий по применению современных принципов организации разработки и производства ЭКБ в части наноструктурных изделий СВЧ- и оптоэлектроники.
17000,0

17000,0

0,0

1000,0

1000,0

0,0

4000,0

4000,0

0,0

6000,0

6000,0

0,0

6000,0

6000,0

0,0

8500,0

8500,0

0,0

500,0

500,0

0,0

2000,0

2000,0

0,0

3000,0

3000,0

0,0

3000,0

3000,0

0,0

2.2. НИР «Исследования по созданию изделий СВЧ- и оптоэлектроники, включая отношения в режиме «фаундри» и разработка методик проектирования технологии». 2016 — 2019 47500,0 2500,0 11500,0 17500,0 16000,0 Комплексные методики создания изделий СВЧ- и оптоэлектроники, включая отношения в режиме «фаундри».
32000,0

15000,0

17000,0

2000,0

1000,0

1000,0

8000,0

3000,0

5000,0

11000,0

5000,0

6000,0

11000,0

6000,0

5000,0

15500,0

7500,0

8000,0

500,0

500,0

0,0

3500,0

1500,0

2000,0

6500,0

2500,0

4000,0

5000,0

3000,0

2000,0

2.3. ОКР «Разработка методик испытаний, в том числе сплошного контроля с отбраковкой изделий наноструктурной СВЧ-электроники на пластине, в том числе в заданном диапазоне температур». 2016 — 2019 47000,0 1500,0 12000,0 16500,0 17000,0 Методика испытаний изделий, в том числе сплошного контроля с отбраковкой, по постоянно токовым и СВЧ параметрам на пластинах диаметром от 50,8 до 150 мм в диапазоне температур от — 65 °C до 150 °C.
31000,0

31000,0

0,0

1000,0

1000,0

0,0

8000,0

8000,0

0,0

11000,0

11000,0

0,0

11000,0

11000,0

0,0

16000,0

16000,0

0,0

500,0

500,0

0,0

4000,0

4000,0

0,0

5500,0

5500,0

0,0

6000,0

6000,0

0,0

2.4. ОКР «Разработка методик контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров, включая долговременные испытания». 2016 — 2019 7500,0 1500,0 1500,0 1500,0 3000,0 Методики испытаний и контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров:

— контроль основных параметров мощных инжекционных лазеров;

— долговременные испытания мощных инжекционных лазеров;

— методика интерференционного контроля качества оптических элементов твердотельных лазеров.

5000,0

5000,0

0,0

1000,0

1000,0

0,0

1000,0

1000,0

0,0

1000,0

1000,0

0,0

2000,0

2000,0

0,0

2500,0

2500,0

0,0

500,0

500,0

0,0

500,0

500,0

0,0

500,0

500,0

0,0

1000,0

1000,0

0,0

Мероприятие 3: «Разработка приборов и систем наноструктурированной СВЧ- и оптоэлектроники на основе стандартных технологий»
3.1. ОКР «Разработка параметрического ряда конструктивно и технологически подобных пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах». 2016 — 2019 72000,0 3500,0 21000,0 24000,0 23500,0 Комплекты конструкторской документации с литерой «O1«. Опытные образцы:

— параметрический ряд пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты в диапазоне 6 — 12 ГГц;

— оптоэлектронный генератор СВЧ с уровнем фазового шума — 130 дБн/Гц на частоте отстройки 10 кГц с селекцией частоты на основе пьезоэлектрических резонаторов.

48000,0

36000,0

12000,0

2000,0

1000,0

1000,0

14000,0

10000,0

4000,0

16000,0

12000,0

4000,0

16000,0

13000,0

3000,0

24000,0

18000,0

6000,0

1500,0

500,0

1000,0

7000,0

5000,0

2000,0

8000,0

6000,0

2000,0

7500,0

6500,0

1000,0

3.2. ОКР «Разработка параметрических рядов мощных фотодиодов СВЧ-диапазона и конструктивно и технологически подобных энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения, системы оптической диодной накачки для высокоэнергетичного полностью твердотельного лазера и полностью твердотельного лазера для промышленности, энергетики и специальных применении». 2016 — 2019 528000,0 31500,0 139000,0 190500,0 167000,0 Комплекты конструкторской документации с литерой «O1» и опытные образцы:

— конструктивно и технологически подобных энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения для систем непрерывной оптической накачки твердотельных лазеров с длиной волны генерации 808 нм и максимальным КПД 60%, включая непрерывные лазерные диоды с выходной оптической мощностью 25 Вт и непрерывные лазерные линейки с выходной оптической мощностью 50 Вт, 75 Вт, 100 Вт;

— мощных фотодиодов СВЧ-диапазона с предельной частотой 10, 20 и 40 ГГц;

— системы квазинепрерывной оптической диодной накачки с выходной оптической мощностью 250 кВт и длиной волны генерации 808 нм для высокоэнергетичного полностью твердотельного лазера для промышленности, энергетики и специальных применений;

— твердотельного лазера с энергией в импульсе до 5 Дж на спектральный диапазон 1064 нм для промышленности, энергетики и специальных применений.

348000,0

226000,0

122000,0

21000,0

14000,0

7000,0

91500,0

61500,0

30000,0

126500,0

82500,0

44000,0

109000,0

68000,0

41000,0

180000,0

118000,0

62000,0

10500,0

7500,0

3000,0

47500,0

33500,0

14000,0

64000,0

42000,0

22000,0

58000,0

35000,0

23000,0

3.3. ОКР «Разработка ряда конструктивно и технологически подобных малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности для частотных диапазонов от 4 до 40 ГГц». 2016 — 2019 132500,0 7500,0 34500,0 44500,0 46000,0 Комплекты конструкторской документации «O1«.

Опытные образцы:

— конструктивно и технологически подобные субоктавные малошумящие усилители диапазонов 4 — 40 ГГц с коэффициентом шума до 3,0 дБ и коэффициентом передачи не менее 18 дБ;

— конструктивно и технологически подобные субоктавные линейные усилители диапазонов 4 — 40 ГГц с коэффициентом передачи не менее 16 дБ и выходной мощностью не менее 100 мВт;

— субоктавные усилители мощности диапазонов 18 — 40 ГГц с выходной мощностью 100 мВт — 2 Вт в зависимости от диапазона.

88000,0

44000,0

44000,0

5000,0

3000,0

2000,0

23000,0

11000,0

12000,0

30000,0

15000,0

15000,0

30000,0

15000,0

15000,0

44500,0

22500,0

22000,0

2500,0

1500,0

1000,0

11500,0

5500,0

6000,0

14500,0

7500,0

7000,0

16000,0

8000,0

8000,0

Мероприятие 4: «Разработка типового оборудования технологических линий для производства изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники»
4.1. ОКР «Разработка технологического оборудования стандартной технологии изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе акустических объемных волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах». 2016 — 2019 277500,0 12000,0 70500,0 96500,0 98500,0 Конструкторская документация с литерой «O1«.

Опытные образцы технологического оборудования стандартной технологии изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц на основе акустических объемных волн, распространяющихся в многослойных наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах в составе:

— специализированной установки молекулярно-пучковой эпитаксии для выращивания эпитаксиальных слоев AlN приборов стабилизации и селекции частоты (фильтров и дуплексов) диапазона 6 — 12 ГГц;

— кластерной системы осаждения наноструктурированных слоев металлов и диэлектриков для формирования электродов и акустических Брэгговских отражающих зеркал приборов стабилизации и селекции частоты диапазона 6 — 12 ГГц.

184000,0

184000,0

0,0

8000,0

8000,0

0,0

47000,0

47000,0

0,0

64000,0

64000,0

0,0

65000,0

65000,0

0,0

93500,0

93500,0

0,0

4000,0

4000,0

0,0

23500,0

23500,0

0,0

32500,0

32500,0

0,0

33500,0

33500,0

0,0

4.2. ОКР «Разработка технологического оборудования стандартной технологии изготовления инжекционных излучателей лазеров накачки». 2016 — 2019 76500,0 3000,0 21000,0 25500,0 27000,0 Конструкторская документация с литерой «O1» и опытный образец технологического оборудования стандартной технологии изготовления инжекционных излучателей лазеров накачки, в составе установки осаждения защитных покрытий зеркал энергоэффективных инжекционных лазеров нового поколения.
51000,0

51000,0

0,0

2000,0

2000,0

0,0

14000,0

14000,0

0,0

17000,0

17000,0

0,0

18000,0

18000,0

0,0

25500,0

25500,0

0,0

1000,0

1000,0

0,0

7000,0

7000,0

0,0

8500,0

8500,0

0,0

9000,0

9000,0

0,0

4.3. ОКР «Разработка технологического оборудования процессов сухой химии создания топологических рисунков на пластине». 2016 — 2019 89500,0 4500,0 22500,0 29000,0 33500,0 Конструкторская документация с литерой «O1» и опытный образец технологического оборудования процессов сухой химии создания топологических рисунков на пластине в составе установки прецизионного неразрушающего травления наноструктурированных эпитаксиальных пластин в индуктивно связанной плазме.
59000,0

59000,0

0,0

3000,0

3000,0

0,0

15000,0

15000,0

0,0

19000,0

19000,0

0,0

22000,0

22000,0

0,0

30500,0

30500,0

0,0

1500,0

1500,0

0,0

7500,0

7500,0

0,0

10000,0

10000,0

0,0

11500,0

11500,0

0,0

Мероприятие 5: «Разработка оборудования для внутритехнологического контроля и испытаний изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники
5.1. Разработка оборудования автоматического контроля внешнего вида кристаллов на пластине. В том числе: 2016 — 2019
5.1.1. ОКР «Разработка автомата контроля внешнего вида изделий наноструктурной электроники на пластинах». 2016 — 2019 71000,0 3000,0 20000,0 24000,0 24000,0 Комплект конструкторско-технологической документации с литерой «O1» и опытный образец автомата контроля внешнего вида (в том числе автоматической идентификации дефектов) изделий наноструктурной электроники на пластинах диаметром от 50,8 мм до 150 мм с минимальным размером дефектов до 2 мкм.
47000,0

0,0

47000,0

2000,0

0,0

2000,0

13000,0

0,0

13000,0

16000,0

0,0

16000,0

16000,0

0,0

16000,0

24000,0

0,0

24000,0

1000,0

0,0

1000,0

7000,0

0,0

7000,0

8000,0

0,0

8000,0

8000,0

0,0

8000,0

5.1.2. ОКР «Разработка установки автоматического микроконтроля топологии кристаллов на пластине». 2016 — 2019 195000,0 11000,0 51000,0 68000,0 65000,0 Комплект конструкторско-технологической документации с литерой «O1» и опытный образец установки автоматического микроконтроля (в том числе автоматической идентификации дефектов) кристаллов на пластине.

Основные технические характеристики:

— минимальный размер обнаруживаемого дефекта на пластине, мкм — 0,25;

— диаметр обрабатываемых пластин — 50, 76, 100 и 150 мм.

129000,0

0,0

129000,0

7000,0

0,0

7000,0

34000,0

0,0

34000,0

45000,0

0,0

45000,0

43000,0

0,0

43000,0

66000,0

0,0

66000,0

4000,0

0,0

4000,0

17000,0

0,0

17000,0

23000,0

0,0

23000,0

22000,0

0,0

22000,0

5.2. ОКР «Разработка автоматизированного испытательного оборудования для контроля постоянно токовых и СВЧ параметров изделий на пластинах в диапазоне температур от — 65 °C до + 150 °C». 2016 — 2019 166000,0 7000,0 42000,0 59000,0 58000,0 Комплект конструкторской и технологической документации с литерой «O1» и опытные образцы:

— зондового автомата для контроля постоянно токовых и СВЧ параметров изделий на пластинах диаметром от 50,8 до 150 мм в диапазоне температур от — 65 °C до + 150 °C;

— измерительного оборудования для контроля постоянно токовых и СВЧ параметров изделий наноструктурной электроники.

110000,0

62000,0

48000,0

5000,0

2000,0

3000,0

28000,0

16000,0

12000,0

39000,0

22000,0

17000,0

38000,0

22000,0

16000,0

56000,0

31000,0

25000,0

2000,0

1000,0

1000,0

14000,0

8000,0

6000,0

20000,0

11000,0

9000,0

20000,0

11000,0

9000,0

5.3. НИР «Исследование возможности создания установки контроля температурных полей СВЧ МИС методом лазерной рамановской спектроскопии». 2016 — 2019 68000,0 4000,0 19000,0 22000,0 23000,0 Эскизная документация установки контроля температурных полей СВЧ МИС методом лазерной рамановской спектроскопии и экспериментальные образцы функциональных узлов для установки контроля температурных полей СВЧ МИС методом лазерной рамановской спектроскопии.
45000,0

0,0

45000,0

2000,0

0,0

2000,0

12000,0

0,0

12000,0

14000,0

0,0

14000,0

17000,0

0,0

17000,0

23000,0

0,0

23000,0

2000,0

0,0

2000,0

7000,0

0,0

7000,0

8000,0

0,0

8000,0

6000,0

0,0

6000,0

5.4. ОКР «Разработка установки определения и анализа точечных дефектов на поверхности полупроводниковых пластин». 2016 — 2019 41000,0 3000,0 10000,0 14000,0 14000,0 Комплект конструкторской документации с литерой «O1» и опытный образец установки определения и анализа точечных дефектов на поверхности полупроводниковых пластин. Диапазон размеров точечных дефектов от 0,25 до 20 мкм.
27000,0

0,0

27000,0

2000,0

0,0

2000,0

6000,0

0,0

6000,0

9000,0

0,0

9000,0

10000,0

0,0

10000,0

14000,0

0,0

14000,0

1000,0

0,0

1000,0

4000,0

0,0

4000,0

5000,0

0,0

5000,0

4000,0

0,0

4000,0

5.5. ОКР «Разработка оборудования для контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров, включая оборудование для долговременных испытаний». 2016 — 2019 28500,0 1000,0 6500,0 11500,0 9500,0 Комплект конструкторской документации с литерой «O1» и опытные образцы оборудования для контроля электрофизических и оптических параметров инжекционных и твердотельных лазеров, включая оборудование для долговременных испытаний мощных инжекционных лазеров.
19000,0

14000,0

5000,0

1000,0

0,0

1000,0

4500,0

3500,0

1000,0

7500,0

5500,0

2000,0

6000,0

5000,0

1000,0

9500,0

7500,0

2000,0

0,0

0,0

0,0

2000,0

2000,0

0,0

4000,0

3000,0

1000,0

3500,0

2500,0

1000,0

Всего по Программе 2780000,0 151000,0 725000,0 967000,0 937000,0
1840000,0

1196000,0

644000,0

100000,0

65000,0

35000,0

480000,0

312000,0

168000,0

640000,0

416000,0

224000,0

620000,0

403000,0

217000,0

940000,0

611000,0

329000,0

51000,0

33000,0

18000,0

245000,0

160000,0

85000,0

327000,0

212000,0

115000,0

317000,0

206000,0

111000,0

1   2   3   4   5

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован.

*

code