Разработка критических стандартных технологий проектирования и изготовления изделий наноструктурной микро- и оптоэлектроники, приборов и систем на их основе и оборудования для их производства и испытаний («Луч»)

СОВЕТ МИНИСТРОВ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА

ПОСТАНОВЛЕНИЕ N 16

О НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ПРОГРАММЕ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА «РАЗРАБОТКА КРИТИЧЕСКИХ СТАНДАРТНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ НАНОСТРУКТУРНОЙ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ, ПРИБОРОВ И СИСТЕМ НА ИХ ОСНОВЕ И ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ИХ ПРОИЗВОДСТВА И ИСПЫТАНИЙ» («ЛУЧ»)

(Могилев, 12 мая 2016 года)

Совет Министров Союзного государства постановляет:

  1. Утвердить научно-техническую программу Союзного государства «Разработка критических стандартных технологий проектирования и изготовления изделий наноструктурной микро- и оптоэлектроники, приборов и систем на их основе и оборудования для их производства и испытаний» («Луч») (далее — Программа), представленную Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и Национальной академией наук Беларуси (прилагается).
  2. Установить общий объем финансирования Программы в 2016 — 2019 годах за счет средств бюджета Союзного государства в размере до 1 840 000,0 тыс. российских рублей, в том числе за счет отчислений Российской Федерации — до 1 196 000,0 тыс. российских рублей, за счет отчислений Республики Беларусь — до 644 000,0 тыс. российских рублей.
  3. Установить объем финансирования Программы в 2016 году из бюджета Союзного государства в размере 100 000,0 тыс. российских рублей, в том числе за счет отчислений Российской Федерации — 65 000,0 тыс. российских рублей, за счет отчислений Республики Беларусь — 35 000,0 тыс. российских рублей.
  4. Осуществить финансирование Программы в соответствии со статьями 12 и 21 Декрета Высшего Государственного Совета Союзного государства от 25 февраля 2016 г. N 2 «О бюджете Союзного государства на 2016 год» по согласованию с Парламентским Собранием Союза Беларуси и России.
  5. Постоянному Комитету Союзного государства в месячный срок внести в установленном порядке соответствующие изменения в сводную бюджетную роспись доходов и расходов бюджета Союзного государства на 2016 год.
  6. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания.

Председатель Совета Министров Союзного государства

Д.МЕДВЕДЕВ

 

Утверждена Постановлением Совета Министров Союзного государства от 12 мая 2016 г. N 16

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА «РАЗРАБОТКА КРИТИЧЕСКИХ СТАНДАРТНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ НАНОСТРУКТУРНОЙ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ, ПРИБОРОВ И СИСТЕМ НА ИХ ОСНОВЕ И ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ИХ ПРОИЗВОДСТВА И ИСПЫТАНИЙ» («ЛУЧ»)

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ, ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

Обозначение Описание
Дж Джоуль — единица измерения энергии
КПД Коэффициент полезного действия
МИС Монолитная интегральная схема
РЭБ Радиоэлектронная борьба
СВЧ Сверхвысокие частоты
ЭКБ Электронная компонентная база
САПР Система автоматизированного проектирования
кГц Килогерц — единица измерения частоты, 1 кГц = 103 Гц
ГГц Гигагерц — единица измерения частоты, 1 ГГц = 109 Гц
мкм Микрометр — единица измерения длины и расстояния, 1 мкм = 10-6 м
нм Нанометр — единица измерения длины и расстояния, 1 нм = 10-9 м
Вт Ватт — единица измерения мощности
мВт Милливатт — единица измерения мощности, 1 мВт = 10-3 Вт
нс Наносекунда единица измерения времени, 1 нс = 10-9 с
Наноструктурная электроника Твердотельные СВЧ- и оптоэлектроника, основанные на применении наноструктурированных полупроводниковых материалов, с толщинами слоев не более нескольких десятков нанометров
Стандартные технологии (унифицированные базовые технологии) Базовые технологии производства ЭКБ, доведенные до высокой степени устойчивости и воспроизводимости и позволяющие получать конструктивно технологически подобные изделия только за счет изменения оснастки.
«Фаундри» Способ организации разработки и производства ЭКБ, основанный на использовании стандартных технологий и жестко регламентирующего порядка взаимодействия между разработчиком, производителем и потребителем.
Библиотека стандартных элементов Утвержденный конструктором и технологом организации «фаундри» перечень отдельных компонентов (транзисторов, резисторов, конденсаторов, соединителей, лазерных диодов, резонаторов и т.д.), топология и параметры которых неизменны (в данной стандартной технологии) и имеют необходимое и достаточное описание для конструирования из них изделий.
Комплекс стандартизированных правил и средств проектирования и производства («design tools») Комплект конструкторской документации (КД) и технологической документации (ТД) в специальном электронном формате, включающий описание стандартного технологического процесса, параметров стандартных элементов библиотеки, правил расположения элементов при конструировании изделия, программу проверки расположения элементов, описание правил проектирования технологической оснастки. Также включает САПР, позволяющий проводить компьютерное моделирование разрабатываемых устройств на основе библиотеки стандартных элементов.
Радиофотоника Область радиоэлектроники и радиотехники, в которой реализуется объединение в одном устройстве (или его части) оптических и радиоэлектронных (радиотехнических) цепей, элементов, схем, устройств (в том числе интегральных), обеспечивающих улучшение параметров — тактико-технических, эксплуатационных и др., а часто и расширение функциональных возможностей аппаратуры.
Фотовольтаика Область приборостроения, предметной областью которой является разработка и производство приборов преобразования энергии электромагнитного излучения ультрафиолетового, видимого и инфракрасного диапазонов длин волн в электрическую энергию.

 

  1. СОДЕРЖАНИЕ ПРОБЛЕМЫ, ОБОСНОВАНИЕ ЕЕ АКТУАЛЬНОСТИ И НЕОБХОДИМОСТИ РАЗРАБОТКИ И РЕАЛИЗАЦИИ ПРОГРАММЫ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ПРОБЛЕМЫ

 

Научно-техническая программа Союзного государства «Разработка критических стандартных технологий проектирования и изготовления изделий наноструктурной микро- и оптоэлектроники, приборов и систем на их основе и оборудования для их производства и испытаний» («Луч»), далее Программа, разработана Министерством промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) и Национальной академией наук Республики Беларусь (НАН Беларуси) в соответствии с постановлением Совета Министров Союзного государства от 7 сентября 2015 г. N 7.

Современная твердотельная электроника является основой, определяющей развитие всех перспективных направлений в области радиоэлектронной техники, приборостроения, медицины, экологии и многих других применений. При этом уровень развития твердотельной электроники, как одной из основных прорывных и критических технологий, имеет непосредственное влияние на обеспечение безопасности любого государства, соответственно и на безопасность Союзного государства, членами которого являются Российская Федерация и Республика Беларусь.

Современная твердотельная электроника включает в свой состав микроэлектронику, силовую электронику, СВЧ- и оптоэлектронику, в которую входят фотовольтаика, излучающие и приемные приборы на светодиодах и лазерах твердотельной гетероструктурной оптоэлектроники. Особое место занимает симбиоз твердотельной СВЧ-электроники и сверхскоростной оптоэлектроники — радиофотоника.

В настоящее время твердотельные СВЧ- и оптоэлектроника и как следствие радиофотоника вплотную подошли к применению наноструктурированных материалов, в которых физические процессы, определяющие работу приборов, имеют квантовую природу и развиваются на границах раздела существенно отличающихся по химическому составу наноструктурированных слоев полупроводниковых кристаллов, толщина которых составляет от единиц до нескольких десятков нанометров, а границы переходов от слоя к слою от 0,6 до 1,5 нанометров.

Компонентная база наноструктурной электроники является той самой основой, которая обеспечивает наиболее передовые инновационные и конкурентные разработки электронных изделий в гражданской, оборонной и других сферах.

К 2011 — 2012 годам технологии наноструктурной электроники стали в ведущих мировых странах (США, Япония, Китай, ЕС и других) основой построения и производства современных электронных устройств и систем, и прежде всего систем специального назначения.

Следует отметить особую значимость наноструктурной электроники для военного и экономического противостояния государств, которые определяют недоступность стран конкурентов на мировом рынке не только к разрабатываемым изделиям, но и к технологиям проектирования и производства наноструктурной электроники, и прежде всего к специализированному технологическому оборудованию для их производства.

Технической основой недоступности изделий и технологий наноструктурной электроники для импорта является стремительно нарастающая тенденция изготовления аппаратно ориентированной СВЧ- и оптоэлектронной компонентной базы на новых организационных принципах — принципах «фаундри» (foundry), который базируется на унифицированных базовых (стандартных) технологиях проектирования и производства на типовом комплексе специального технологического оборудования для производства, контроля и испытаний групп конструктивно и технологически подобных изделий. Принцип «фаундри» также жестко регламентирует разделение ответственностей конструкторов изделий, технологов и производителей аппаратуры. Взаимодействие участников разработки и производства, осуществляется посредством комплекса стандартизированных правил и средств проектирования и производства («design tools» в англоязычной литературе), в результате чего каждая конструкция изделия индивидуальна, специализирована для применения в конкретной аппаратуре, а авторские права на нее принадлежат разработчику аппаратуры и в другой аппаратуре применены быть не могут, в том числе и в силу защиты авторских прав.

Организационную основу принципа «фаундри» составляет специализация и кооперация: разделение ответственности и предмета деятельности участвующих в процессе организаций и предприятий (далее — организация). Организация — изготовитель (далее — предприятие «фаундри») отвечает за соответствие унифицированного базового (стандартного) технологического процесса параметрам, заявленным при его аттестации, в том числе за соответствие параметров библиотечных элементов параметрам, указанным в правилах проектирования. Организация — разработчик (дизайн — центр) на основе правил проектирования разрабатывает конструкцию необходимого конечного изделия путем его сборки из библиотечных стандартных элементов, изготовленных по унифицированному базовому (стандартному) технологическому процессу, реализованному на аттестованном комплекте специального технологического и измерительного оборудования для производства, контроля и испытаний.

Наличие стандартного технологического процесса позволяет рассматривать конструктивно и технологически подобные изделия как варианты исполнения единого изделия и тем самым резко сократить сроки и стоимость разработки, испытаний и постановки на производство и изготовление конечных изделий. В результате становится экономически оправданным включение разработки узкоспециализированной ЭКБ в цикл разработки каждой отдельно взятой системы и каждого отдельно взятого вида аппаратуры. Такая ЭКБ с технической точки зрения наилучшим образом соответствует требованиям разрабатываемого образца аппаратуры, а с экономической — по себестоимости приближается к условиям массового производства.

Начиная с 2011 года, в мировой полупроводниковой промышленности не осталось ни одного производителя ЭКБ, не использующего принцип «фаундри».

Принцип построения разработки и производства изделий электронной компонентной базы на основе стандартных технологий, начиная с 2007 года, постепенно развивается и находит свое отражение как в инициативных разработках российских и белорусских организаций, так и в тематике финансируемых государством НИОКР. В 2009 году в опытную эксплуатацию введены разработанные Минобороны России нормативные документы, которые можно рассматривать как прототип нормативных документов «фаундри» для кремниевых технологий. Однако их применение в области СВЧ- и оптоэлектроники затруднено в силу существенных технологических отличий от кремниевых технологий. В 2012 году Министерством промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторгом России) были поставлены первые опытно-конструкторские работы в области гетероструктурной электроники, направленные на построение и аттестацию стандартных технологий.

В частности, в России в рамках ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008 — 2015 годы в сотрудничестве ряда организаций Российской Федерации проведены первые разработки основ технологии и конструкций СВЧ наноструктурированных акустоэлектронных компонентов нового поколения — резонаторов и полосовых фильтров, работающих на объемных акустических волнах. Проведенные разработки позволили реализовать фильтры типа FBAR на частоты 4 — 6 ГГц, разработать тонкопленочные резонаторы на частоты 0,5 — 12 ГГц. Эти разработки показали перспективность развития технологий изготовления пьезоэлектрических приборов стабилизации и селекции частоты диапазона 6 — 12 ГГц на основе объемных акустических волн, распространяющихся в наноструктурированных комплексированных пьезоматериалах.

В организациях Российской Федерации получен первый опыт применения российской нормативной базы «фаундри» на основе введенных в обращение в 2009 году Временных положений — «Порядок выполнения работ при взаимодействии разработчика микросхем и изготовителя пластин с кристаллами заказанных элементов» и «Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Пластины с кристаллами заказанных элементов. Общие технические условия», а также ОСТ В 11 1010-2001 «Микросхемы интегральные бескорпусные. Общие технические условия» с изменениями 2006 — 2012 годов. Опыт, полученный при их применении, позволяет ставить задачу развития Временных положений до уровня стандартов, ориентированных на технологии СВЧ- и оптоэлектроники.

На протяжении 2012 — 2014 годов в Республике Беларусь в кооперации с российскими организациями был накоплен опыт проектирования и изготовления наногетероструктурных СВЧ устройств по лабораторным технологиям, которые не были предназначены для промышленного производства. Полученный опыт дал возможность сформулировать основные требования к технологиям и конструкциям стандартных элементов.

Учитывая, что одной из наиболее сильных сторон белорусских организаций является проектирование наногетероструктурных СВЧ- и оптоэлектронных устройств, в мае 2014 года Правительством Республики Беларусь признано целесообразным развивать «фаблесс-модель», т.е. систему разработок изделий, опирающуюся на принцип «фаундри». Таким образом белорусские разработчики устройств и библиотек стандартных элементов в качестве дизайн-центров различного уровня становятся естественными партнерами российских технологических организаций «фаундри» и производителей радио- и оптоэлектронной аппаратуры.

Традиционно в Республике Беларусь являлось развитым направление разработок и производства оборудования внутритехнологического контроля процессов изготовления изделий полупроводниковой техники. В Национальной академии наук Беларуси создан задел для разработки современного неразрушающего контрольно-измерительного оборудования.

Совместными работами промышленных организаций и академических институтов Российской Федерации и Республики Беларусь была проведена разработка конструкции и технологии производства импульсных и квазинепрерывных лазерных линеек и матриц с выходной оптической мощностью до 200 Вт для боковой накачки твердотельных лазеров. Проведена разработка и изготовлены несколько типов твердотельных лазеров с диодной накачкой импульсного, квазинепрерывного и непрерывного режимов работы с длинами волн 1,06 и 1,57 мкм, частотой от нескольких Гц до 50 кГц, энергией в импульсе до 80 мДж и мощностью до 1 кВт, что соответствует параметрам мирового уровня.

В последние годы на ряде предприятий и организаций государств-участников Союзного государства разработана базовая технология изготовления СВЧ устройств с проектными нормами порядка 0,2 мкм, завершается разработка малошумящего усилителя и буферного усилителя диапазона 32 — 40 ГГц, заложены основы стандартных технологий узкополосных СВЧ устройств в сантиметровом и миллиметровом частотном диапазонах, а также получен первый опыт формирования библиотек стандартных элементов. Таким образом, сформированный к настоящему моменту научно-технический задел позволяет ставить задачу разработки стандартной, обеспеченной правилами проектирования, технологии производства малошумящих и линейных усилителей, а также усилителей мощности для частотных диапазонов от 4 до 40 ГГц на основе наноструктурированных материалов арсенидной группы, производства непрерывных лазеров и их линеек с коэффициентом полезного действия порядка 60%, для сохранения мирового уровня разработок и производства твердотельных лазеров с диодной накачкой.

На настоящий момент в научных и конструкторских организациях Российской Федерации и Республики Беларусь имеется достаточно большой научный, технологический и практический задел для проведения дальнейших исследований и разработок по предлагаемым в Программе направлениям. Однако этого недостаточно для преодоления разрыва между государствами-участниками Союзного государства и ведущими странами мирового сообщества по разработке стандартных технологий и реализации производства ЭКБ по принципу «фаундри».

Проблемой для государств-участников Союзного государства является практическое отсутствие унифицированных базовых (стандартных) технологий проектирования и изготовления конструктивно и технологически подобных изделий наноструктурной электроники, приборов и систем на их основе, типового комплекса оборудования для их промышленного производства и испытаний, соответствующих уровню развитых стран ВТО, комплексных методик проектирования технологий и создания унифицированных изделий, составляющих основу принципа «фаундри».

Прогнозируя развитие наноструктурной электроники, приходится учитывать сильнейшую государственную поддержку ее развития в США, Японии и Западной Европе. Таким образом, существует реальная угроза отставания научно-технического развития в направлении наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники государств-участников Союзного государства от уровня развитых стран ВТО.

Если своевременно не принять адекватные меры, то государства-участники Союзного государства могут в будущем оказаться в гигантской зависимости от развитых стран мировой экономики в радиоэлектронных и оптоэлектронных системах, как гражданского назначения, так и специального применения.

Особо серьезные проблемы при организации производственного процесса на принципах «фаундри» возникают в связи с необходимостью использования при создании базовых унифицированных технологий типовых комплексов специального технологического оборудования. Это оборудование должно соответствовать как техническим требованиям разрабатываемых технологий, так и технико-экономическим показателям процессов производства. Поэтому необходима разработка организациями государств-участников Союзного государства не только технологий, но и соответствующего специализированного технологического оборудования, которое в мире либо еще не выпускается, либо его применение лимитируется экспортными ограничениями и недоступными без организаций — поставщиков процессами сервисного обслуживания. Необходимость аттестации и стандартизации технологических процессов наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники неизбежно требует разумного перераспределения технологического контроля процессов изготовления и испытаний между стандартной технологией и конечным изделием и, соответственно, разработки новых методик испытаний и испытательного оборудования. Без такого оборудования, к тому же учитывающего особенности конкретной технологии, задача построения стандартных технологических процессов решена быть не может.

Анализ объема целевого рынка разработок, предусмотренных мероприятиями Программы «Луч», сделан на основе сведений о прогнозной потребности организаций радиоэлектронного комплекса Российской Федерации и Республики Беларусь, занимающихся разработкой и производством аппаратуры и систем радиоэлектронного противодействия, систем наведения и ракетных вооружений, систем и средств связи, а также гражданской продукции промышленного назначения. Временной интервал, на котором проводился анализ, был выбран продолжительностью в 10 лет с 2016 по 2026 год.

Общее количество востребованных разработок в конструктивно и технологически подобных группах наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, для которых по программе «Луч» разрабатываются стандартные технологии, составит в 2020 году до 350 единиц в год с тенденцией увеличения количества разработок на 10 — 15% ежегодно. Прогноз потребности в разработанных изделиях наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники в 2021 году составит 1,3 млн. шт. с его увеличением до 3,8 млн. шт. в 2026 году. При этом потребность в разработанном технологическом оборудовании и оборудовании внутритехнологического контроля и испытаний за период с 2020 по 2026 год составит не менее 37 единиц.

Таким образом ставится задача стратегического развития наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, комплексных методик проектирования технологий и создания унифицированных изделий, позволяющие в кратчайшие сроки создавать новые виды тактического вооружения и лазерную технику гражданского применения.

Все указанные факторы определили актуальность реализации Программы «Луч».

Предусмотренная Программой разработка требований к единой схеме взаимодействия организаций России и Беларуси на основе методологии стандартных технологических процессов приведут к возможности распространения данной методологии и на другие, смежные с настоящей программой области техники (инфракрасной полупроводниковой техники, сложно-функциональных полупроводниковых устройств и др.).

Программа направлена на достижение цели Союзного государства — создание единого экономического пространства для обеспечения социально-экономического развития на основе объединения материального и интеллектуального потенциалов государств — участников.

 

  1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ, СРОК РЕАЛИЗАЦИИ ПРОГРАММЫ, ПОКАЗАТЕЛИ ОЦЕНКИ ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕЛЕЙ ПРОГРАММЫ

 

Целью предлагаемой научно-технической программы Союзного государства является создание на основе результатов научно-технических, производственно-технологических и организационно-правовых разработок в общем научном, информационном и технологическом пространстве Союзного государства стандартных взаимоувязанных технологий проектирования (не менее 5), конструктивно и технологически подобных унифицированных изделий наноструктурной электроники, приборов и систем на их основе (не менее 17) и специального технологического оборудования для их производства и испытаний (не менее 11), соответствующих уровню развитых стран ВТО, необходимых для ликвидации угрозы отставания государств-участников Договора о создании Союзного государства (далее — государств-участников Союзного государства) от развитых стран мировой экономики в радиоэлектронном и оптоэлектронном приборостроении, и достижения их паритетного равенства. Цель Программы достигается в 2019 году.

Реализация цели Программы не только разрешит одну из проблем опережающего импортозамещения, но и проблему стратегического развития технологически унифицированных изделий наноструктурной электроники, что обеспечит высокий уровень технологической безопасности государств-участников Союзного государства, и в конечном итоге приведет к созданию единого технологического пространства.

Задачами Программы, исходя из ее целей, являются:

  1. Разработка стандартных, обеспеченных комплексами «Правила и средства проектирования», технологий изготовления изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, приборов и систем на их основе, что обеспечит высокий уровень их конкурентнопригодности со следующими параметрами:

— минимальный диаметр пластин — от 76 мм до 100 мм в области наноструктурной СВЧ-электроники частотного диапазона от 4 до 40 ГГц и от 50,8 мм до 76 мм соответственно в области наноструктурной оптоэлектроники;

— минимальная длина затвора транзистора — от 0,5 мкм до 0,18 мкм;

— минимальное количество слоев в комплексированной структуре объемного резонатора — не менее 7;

— количество классов библиотечных элементов — не менее 7;

— количество библиотечных элементов в библиотеках стандартных элементов — не менее 40.

  1. Разработка комплексных методик проектирования технологий и создания унифицированных изделий наноструктурной электроники, приборов и систем на их основе, в том числе двух классов методик испытаний.
  2. Отладка методов и процедур разработки конкретных приборов наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, в том числе радиофотоники, на основе стандартных технологий и комплексных методик проектирования технологий с общим количеством разработанных инновационных приборов и систем высокого уровня качества и надежности не менее 17.
  3. Разработка специализированного оборудования технологических линий для производства изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники, не имеющих аналогов в государствах-участниках Союзного государства, а в некоторых случаях и за рубежом, с общим количеством до 5 типов.
  4. Разработки методик и оборудования для внутритехнологического контроля и выходных испытаний изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники для обеспечения высокого качества и надежности технологических процессов, с общим количеством типов оборудования до 6.

Указанные задачи, которые решаются в 2016 — 2019 годах, определены на основании анализа наиболее значимых факторов достижения поставленной цели на основе целевых индикаторов и показателей решения задач Программы, приведенных в Таблице 3.

Программу предлагается реализовать в один этап за 4 года (2016 — 2019 годы).

Количественными и качественными результатами, намечаемыми к достижению в результате реализации цели Программы являются:

— Общее количество разработанных стандартных технологий изготовления изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники;

— Общее количество разработанных образцов изделий, в том числе:

— количество разработок изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники;

— количество разработок специализированного оборудования технологических линий для производства изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники;

— количество разработок методик и оборудования для внутритехнологического контроля и выходных испытаний изделий наноструктурной СВЧ- и оптоэлектроники;

— количество разработок, выполненных по Программе, которые отвечают техническим требованиям по импортозамещению по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам по отношению ко всем разработкам;

— Количество патентов и других объектов интеллектуальной собственности.

Значения показателей и индикаторов указаны в таблице 3 раздела 7. Ожидаемые результаты реализации Программы.

1   2   3   4   5

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован.

*

code